電子材料制造用高純度4N氧化鋁粉的參數分析

發布日期：2024-12-19      瀏覽次數：22

電子材料制造用高純度4N氧化鋁粉的參數分析

Taimicron是采用戴美化學多年培育的鋁化合物合成技術生產的高純度、超細精細陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
銨鈉鋁石（NH）

低溫燒結氧化鋁

燒結用太微粉是一種高純度α-氧化鋁粉末，由于其初級顆粒細小且單晶，可以在極低的溫度下燒結致密化。

■特點

99.99%以上的高純度超細粉末。

它在低溫下燒結并致密化。
經過1250℃至1300℃燒成，致密化至理論密度的98%以上。

可以獲得表現出氧化鋁原有性能的優異燒結體。
陶瓷具有高強度、高硬度、優異的耐磨性和耐腐蝕性。

半透明陶瓷可以很容易地獲得
半透明陶瓷可以通過HIP燒結等來獲得。

■典型特性值

年級		超濾膜	TM-DA	TM-DAR	TM-5D
晶型		α-氧化鋁	α-氧化鋁	α-氧化鋁	α-氧化鋁
BET比表面積	平方米/克	17.0	12.5	13.5	9.0
一次粒徑*1	微米	0.09	0.12	0.12	0.20
靜態堆積密度	克/立方厘米	0.8	0.8	0.9	0.8
振實密度	克/立方厘米	1.0	0.9	1.0	1.1
成型密度*2	克/立方厘米	2.3	2.2	2.3	2.3
燒結密度	克/立方厘米	3.93 *3	3.95 *4	3.96 *4	3.93 *5

*1：根據SEM照片測量 *2：單軸壓制成型（98MPa）
*3：1250℃ *4：1350℃ *5：1400℃（在空氣中各燒成1小時）

過渡型氧化鋁*非常抱歉，目前已停止銷售。

主相為γ、θ的氧化鋁。

■特點

具有極細顆粒和大比表面積的粉末。

它具有高活性和優異的反應活性。

■典型特性值

年級		TM-100	TM-300	TM-100D	TM-300D
晶型		θ-氧化鋁	γ-氧化鋁	θ-氧化鋁	γ-氧化鋁
BET比表面積	平方米/克	120	220	120	200
一次粒徑*1	微米	0.014	0.007	0.014	0.010
靜態堆積密度	克/立方厘米	0.15	0.05	0.40	0.40
振實密度	克/立方厘米	0.18	0.08	0.60	0.60

*1：根據 BET 值計算

目的

高強耐磨材料
人造骨、牙科材料、軸承等。

電子材料
IC基板、半導體制造夾具、傳感器等

光學材料
透光陶瓷、紅寶石、YAG等

其他
各種填料、合成尖晶石、催化劑載體等