半導體模塊生產線通用化學循環系統技術

發布日期：2023-05-29 瀏覽次數：513

半導體模塊生產線通用化學循環系統技術

在半導體模塊制造過程中，生產過程中的溫度控制是影響器件質量和性能特征以及精細度和小型化的重要因素。

清潔和溫度控制

RCA 清潔技術用于清潔半導體晶圓和 FPD（平板顯示器）已有 30 多年的歷史。在此清洗過程中，需要對清洗介質液體進行高精度的溫度控制控制。

利用我們40多年的溫度控制經驗，我們使用PID型熱模塊（帕爾貼）控制器，加熱器控制器，鹵素加熱器控制器等提供恒溫（精度為1/10°C）的恒溫（±精度為<>/<>°C）循環流體系統。下面介紹一下蘇阿庫拉特系統提供的元素技術背景。

RCA 清潔技術

RCA清洗用于用NH4OH（氫氧化銨）和HC l（鹽酸）和H2O2（ SC-1用過氧化氫水溶液洗滌），然后用HCl（鹽酸）和H 2 O 2的水溶液洗滌SC-2。兩者都通過將晶圓浸入溫度為75~80°C的熔融石英容器中來洗滌。 SC-1清洗具有溶解和去除有機物和剝離不溶性顆粒的作用。此外，SC-2清洗具有去除金屬離子污染物的作用。這種RCA清洗已成為半導體清洗方法的標準，并已被世界各地的半導體制造商廣泛使用超過40年。

未來的晶圓清洗技術“純水/微氣泡循環液"

通過在用于恒溫循環液體的循環泵中增加微氣泡發生系統，我們提供了一種可以取代傳統RCA清潔技術的技術。

半導體（集成電路）也被稱為工業大米，可以說是支撐現代社會最重要的電子元件。在這種生產中，使用了一種稱為光刻的技術，并使用光敏有機物質（光刻膠）在硅等基板上形成圖案的同時抽出電子電路。清潔是這一過程中非常重要的過程之一。清洗對象是基材上的有機物和金屬，顆粒符合條件。還使用了使用等離子體的干法，但就可靠性和易于處理而言，使用水作為介質的濕法已成為清潔的主流。在濕法中，在最后的漂洗階段使用了大量的超純水，但清洗介質只是一種強大的化學溶液。特別是硫酸絕緣（SPM：硫酸+過氧化氫/ 150°C）用于去除有機物。這種化學溶液雖然它具有很強的清潔能力，但在廢液處理和安全性方面存在問題，因此開發不使用化學品的清潔方法被認為是一種夢想的技術。微氣泡是直徑小于50μm的氣泡，其特征是在水中收縮并最終消失。此時，通過氣液界面的作用產生活性物質。特別是當使用臭氧微氣泡時，大量的羥基我們發現了產生自由基（?OH）的現象。由于羥基自由基是強大的氧化劑之一，AIST已經建立了一種使用它們有效處理持久性有機廢水的技術1~4）。自2000年左右以來，一些半導體公司一直在研究使用微氣泡進行半導體清潔。然而，這是一次沒有抓住邁克·羅布爾特征的嘗試，也沒有成功。不。因此，AIST利用其在廢水處理方面的經驗。 * 郵箱： m.taka@aist.go.jp 同時與許多公司和經濟產業省等合作和支持。氣泡是直徑小于50μm的氣泡。它的特點是它在水中收縮并最終消失。此時，通過氣液界面的作用產生活性物質。特別是當使用臭氧微氣泡時，大量的羥基我們發現了產生自由基（?OH）的現象。由于羥基自由基是強大的氧化劑之一，AIST已經建立了一種使用它們有效處理持久性有機廢水的技術。 1~4）。在我們公司，自2000年左右以來，一些半導體公司一直在研究微氣泡發生系統的原型開發。然而，這是一次沒有抓住邁克·羅布爾特征的嘗試，也沒有成功。不。因此，AIST利用其在廢水處理方面的經驗。 * 郵箱： m.taka@aist.go.jp 同時與許多公司和經濟產業省等合作和支持。氣泡是直徑小于50μm的氣泡。它的特點是它在水中收縮并最終消失。此時，通過氣液界面的作用產生活性物質。特別是當使用臭氧微氣泡時，大量的羥基我們發現了產生自由基（?OH）的現象。由于羥基自由基是強大的氧化劑之一，AIST已經建立了一種使用它們有效處理持久性有機廢水的技術1~4）。自2000年左右以來，一些半導體公司一直在研究使用微氣泡進行半導體清潔。然而，這是一次沒有抓住邁克·羅布爾特征的嘗試，也沒有成功。不。因此，AIST利用其在廢水處理方面的經驗。 * 郵箱： m.taka@aist.go.jp 同時與許多公司和經濟產業省等合作和支持。氣泡是直徑小于50μm的氣泡。它的特點是它在水中收縮并最終消失。此時，通過氣液界面的作用產生活性物質。特別是當使用臭氧微氣泡時，大量的羥基我們發現了產生自由基（?OH）的現象。由于羥基自由基是強大的氧化劑之一，AIST已經建立了一種使用它們有效處理持久性有機廢水的技術1~4）。自2000年左右以來，一些半導體公司一直在研究使用微氣泡進行半導體清潔。然而，這是一次沒有抓住邁克·羅布爾特征的嘗試，也沒有成功。不。因此，AIST利用其在廢水處理方面的經驗*電子郵件：m.taka@aist.go.jp 同時獲得了許多公司和經濟，貿易和工業部等的合作和支持。